%0 Journal Article
%T 不同In组分对In<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As物理性质影响的研究
%A 丁召
%A 刘万松
%A 刘雪飞
%A 周勋
%A 王一
%A 王继红
%A 罗子江
%A 郎啟智
%A 郭祥
%A 魏杰敏
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.025
%X 对InxGa1-xAs在x从0～1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会随In组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且Ga—As—In键角的变化幅度在In组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质
%K 密度泛函
%K 弛豫
%K 电子结构
%K 键角
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17048.shtml