%0 Journal Article
%T 基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究
%A 冯清茂
%A 温殿忠
%A 白忆楠
%A 艾春鹏
%A 赵晓锋
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015
%X 研究射频磁控溅射法制备ZnO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO薄膜阻变特性。实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为〈002〉晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4.8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO薄膜具有阻变特性且开关比可达104
%K ZnO薄膜
%K 射频磁控溅射
%K 微结构
%K 阻变特性
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15463.shtml