%0 Journal Article
%T 带电粒子注入硅的辐照损伤模拟研究
%A 刘 敏
%A 夏艳芳
%A 张泊丽
%A 程品晶
%A 郑贤利
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅰ).029
%X 利用SRIM软件计算模拟不同质量的带电粒子射入硅的射程、能量损失、硅损伤情况。结果表明,入射带电粒子在硅中分布的最大浓度位置位于其投影射程处,且随粒子质量的增加而减少;入射带电粒子的质量与硅的质量比近似小于1.8时,入射带电粒子损失给电子的能量与反冲硅原子损失给电子的能量之比＞1,否则小于1;电离能损随入射带电粒子质量的增加而减少;声子能损随入射带电粒子质量的增加而增加;入射带电粒子在硅中产生的移位和空穴随入射离子质量的增加而增加较快,而替位碰撞增加缓慢
%K 带电粒子
%K 辐照损伤
%K 能量损失
%K 硅
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15313.shtml