%0 Journal Article
%T 氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响
%A 徐永宽
%A 李 晖
%A 高 飞
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.035
%X 以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响。结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0.15 mol/L时,抛光去除速率可以达到约1 200 nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra低至0.0853 nm
%K 碳化硅
%K 化学机械抛光
%K 氧化剂浓度
%K 原子台阶构型
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15229.shtml