%0 Journal Article
%T Mg<sub>2</sub>Si/Si异质结的制备及<i>I-V</i>特性研究
%A 吴宏仙
%A 廖杨芳
%A 杨云良
%A 梁 枫
%A 王善兰
%A 肖清泉
%A 谢 泉
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.09.017
%X 采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2Si/Si异质结。首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、 Mg2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3)、导通电压(0.31 V)、导通电流(0.6 mA)、工作电压(0.53 V)等,测得该异质结为n-n型
%K 磁控溅射
%K Mg<sub>2</sub>Si/Si异质结
%K <i>I-V</i>特性
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15256.shtml