%0 Journal Article
%T TMA脉冲和吹扫时间对原子层沉积的氧化铝薄膜的影响
%A 丁星伟
%A 宋建涛
%A 张浩
%A 李春亚
%A 魏斌
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.07.035
%X 采用原子层沉积技术(ALD)进行Al2O3薄膜工艺研究,获得85 ℃低温Al2O3薄膜ALD的最佳工艺条件。使用椭偏仪测试厚度,使用扫描探针显微镜对薄膜表面形貌进行分析,使用紫外-分光光度计对薄膜的透过率进行分析,所用水汽透过率测试仪器是自行开发的基于钙电学法的测试仪器。分析了在85 ℃低温下的生长工艺条件对薄膜性能的影响,从前驱体脉冲时间,吹扫时间等工艺条件,对Al2O3薄膜的工艺条件进行优化。以三甲基铝(TMA)和H2O为前驱体制备的Al2O3薄膜:沉积速率为0.1 nm/cycle,表面粗糙度为0.46 nm,对550 nm波长光透过率为99.2%,薄膜厚度不均匀性为1.89%,200 nm的Al2O3薄膜的水汽透过率为1.55×10-4 g/m2/day
%K 原子层沉积
%K Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜
%K 三甲基铝
%K 脉冲
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17327.shtml