%0 Journal Article
%T 应力调控TiS<sub>3</sub>单层材料电子性质的第一性原理研究
%A 周少雄
%A 李京波
%A 董帮少
%A 陈卉
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.10.011
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响。研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06 eV,符合实验值。TiS3在a方向上更容易产生形变,在不同方向应力作用下,带隙、价带顶和导带底都会随应力变化而不断变化。其中,当b方向压应力增加到6%时,TiS3由直接带隙转变为间接带隙。分析载流子有效质量得到,在任何方向拉应力作用下,载流子有效质量对应力相应不敏感。在b单轴方向和双轴方向压应力作用下,载流子有效质量表现出强烈的各向异性。这一研究对深入理解应力调控TiS3的电子结构意义深远
%K TiS<sub>3</sub>
%K 二维材料
%K 应力调控
%K 电子结构
%K 第一性原理
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17345.shtml