%0 Journal Article %T CH3NH3PbI3晶体的晶轴对其光电性能的影响 %A 孙士帅 %A 常海涛 %A 张中赛 %A 王喆 %A 邓家春 %J 功能材料 %D 2019 %R 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.08.026 %X 通过逆温结晶的方法制备了CH3NH3PbI3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱。此外,通过X射线单晶衍射仪确定了晶面方向,分别沿平行和垂直于晶体c轴方向对晶体进行切割,经打磨、抛光后在其对应的晶面上蒸镀电极进而制备出基于CH3NH3PbI3单晶的光探测器。采用不同波长和偏振方向的激光照射光探测器的受光面后,测试了器件的光电特性。实验结果表明,当激光的电场分量E平行于晶体的晶轴时光探测器的光电流密度比电场分量E垂直于晶轴时(垂直样品)的光电流密度大两个数量级。通过计算得到,激光的电场分量E平行于晶体晶轴时,光探测器的光响应度(R)是垂直样品的58倍、光暗电流比(P)的10倍和外量子效率(EQE)的66倍。发现CH3NH3PbI3单晶的晶轴对晶体的光电性能影响很大 %K CH3NH3PbI3单晶 %K 晶轴 %K 光电流密度 %K 光响应度 %K 光暗电流比 %K 外量子效率 %U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17752.shtml