%0 Journal Article
%T 不同微结构SiCNO陶瓷的制备及介电特性研究
%A 伞海生
%A 余煜玺
%A 余煜玺，刘逾，张志昊，伞海生，许春来
%A 刘逾
%A 张志昊
%A 许春来
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.004
%X 以双亲性嵌段共聚物F127(PEO106-PPO70-PEO106)为模板剂，聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)为前驱体，采用软模板法和无压烧结工艺制备出不同微结构SiCNO陶瓷。 利用扫描电镜、电子探针、X射线衍射仪、动态光散射、热重分析和阻抗分析仪等手段表征SiCNO陶瓷，并分析了不同形貌结构对陶瓷介电损耗特性的影响。 结果表明，通过精确控制蒸发温度可制备出棒状、十字架状、球形和卵形结构SiCNO陶瓷; SiCNO陶瓷介电损耗与形貌结构密切相关，介电损耗值随着蒸发温度升高呈先增大后降低的趋势，当陶瓷微观结构为十字架结构时，介电损耗达到最高值为0.24;当陶瓷微观结构为卵形结构时，介电损耗最低值为0.03
%K 聚乙烯基硅氮烷
%K 嵌段共聚物
%K SiCNO
%K 微结构
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15332.shtml