%0 Journal Article
%T 温度对GaN(0001)表面吸附生长TiO<sub>2</sub>分子的影响
%A 周金君
%A 杨 春
%A 梁晓琴
%A 黄 平
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.023
%X 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700 ℃ 5种温度下TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数等性质。结果表明,温度会影响TiO2分子中两个O原子与GaN表面两个Ga原子成键顺序;500 ℃时O2—Ga3成键的时间最早,TiO2在GaN(0001)表面吸附生长的速率最快。600 ℃下TiO2分子在物理吸附阶段的扩散系数比在500 ℃下扩大了接近100倍,500 ℃时O—Ga1的局域电荷分布ELF值最大为0.750,说明500 ℃下O—Ga1键共价性最强。由此可见,TiO2分子在GaN(0001)吸附生长最佳温度是500 ℃
%K TiO<sub>2</sub>
%K GaN(0001)
%K 温度
%K 动力学
%K 吸附
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15217.shtml