%0 Journal Article
%T GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞
%A 丁召
%A 周勋
%A 王继红
%A 罗子江
%A 郭祥
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.030
%X 采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530 ℃,1.33 μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个As Dimers和2个Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的(2×6)重构表面,获得结果与STM图片高度吻合
%K GaAs(001)-(2×6)重构
%K 表面形貌
%K As覆盖率
%K 重构原胞
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract14737.shtml