%0 Journal Article
%T 间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点
%A 丁召
%A 周勋
%A 王继红
%A 罗子江
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.005
%X 采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析。研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变
%K 间歇式As中断
%K InGaAs
%K 量子点
%K MBE/STM
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17218.shtml