%0 Journal Article
%T 硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性
%A 庄琼云
%A 潘书万
%A 郑力新
%J 华侨大学学报(自然科学版)
%D 2018
%R 10.11830/ISSN.1000-5013.201801049
%X 采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9 nm增加到5.3 nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60 eV左右.研究发现:位于1.48 eV 处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60 eV 处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.
%K 纳米晶
%K Ge/ZnO多层薄膜
%K 硅衬底
%K 光致发光
%K 射频磁控溅射
%K 快速热退火
%U http://www.hdxb.hqu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201805012