%0 Journal Article
%T 原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响
%A 宋力昕
%A 施尔畏
%A 陈之战
%A 陈博源
%A 刘 熙
%J 无机材料学报
%D 2010
%X 摘要： 生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同. 在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响. 实验发现，在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高, 过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降. 同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度. 因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射, 所以空隙率增大会导致其等效热导率增大. 模拟结果表明：60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热, 初期晶体生长速率最大. 模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
%K 碳化硅
%K 生长速率
%K 有限元
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2010.00177