%0 Journal Article
%T CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
%A 张翔
%A 张西霞
%A 李春龙
%A 王善朋
%A 陶绪堂
%A 张国栋
%J 无机材料学报
%D 2014
%X 摘要： 采用单温区法合成了CdSiP2 (CSP)多晶原料, 然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明, 所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形, 尺寸为2~8 μm, 主要成分为Si, 含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明, 此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的Si单质所致。通过合成工艺的改进, 有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留, 制备出了高透明性的CSP单晶体。
%K 磷硅镉
%K 非线性光学晶体
%K 晶体缺陷
%K 垂直布里奇曼法
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20130601