%0 Journal Article
%T 温度梯度溶液法生长的Cr掺杂的ZnTe晶体的表征
%A 介万奇
%A 呼 唤
%A 孙晓燕
%A 杨 敏
%A 蔺 云
%A 杨 睿
%J 无机材料学报
%D 2015
%X 摘要： 以CrTe作为掺杂源、以Te作为溶剂, 用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的ZnTe晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm), 且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入ZnTe中的CrTe富集于固液界面处, 表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的ZnTe晶体的电阻率(约1000 Ω·cm)高于未掺杂的ZnTe(约300 Ω·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了ZnTe中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低, 表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
%K Cr掺杂ZnTe
%K 晶体生长
%K Te夹杂相
%K 电学和光学性能
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20140539