%0 Journal Article
%T A位La掺杂的单晶化合物Sr2IrO4电输运特性
%A 王伟
%A 王好文
%A 胡妮
%A 裴玲
%A 段天赐
%J 无机材料学报
%D 2018
%X 摘要： 5 d强自旋轨道耦合氧化物Sr2IrO4中的电输运物理是该领域存在争议的一个科学问题。本研究应用flux法成功制备(Sr1-xLax)2IrO4(x=0, 0.01, 0.02, 0.03, 0.05)等系列单晶样品, 并通过综合物性测量仪对样品电输运特性进行表征。研究表明: 随着La掺杂浓度的增加, 样品体系电阻率显著下降, 并在x≥0.03时出现金属性(dρab/dT>0)。通过对样品电阻率的一系列拟合发现, 未掺杂的Sr2IrO4单晶样品在高温部分(T>140 K)和较低温区(40 K<T<80 K)导电机制符合三维变程跳跃模型, 中温部分(80 K<T<140 K)导电机制则符合热激发机制; 而掺杂样品仅在较低温部分(T<90 K)呈现出明显的变程跳跃电导, 并且样品中的激活能随掺杂量增加而减小。通过变程跳跃电导模型拟合发现, 掺杂样品中的局域化长度明显大于Ir-O键长, 可能是源于系统中载流子产生的退局域化效应。
%K Sr<sub>2</sub>IrO<sub>4</sub> Mott绝缘体
%K 电输运
%K 热激活
%K 三维变程跃迁
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20170568