%0 Journal Article
%T SmB6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究
%A 刘飞
%A 张彤
%A 林浩坚
%A 田颜
%A 许宁生
%A 邓少芝
%A 郭泽堃
%A 陈军
%A 黎子娟
%J 无机材料学报
%D 2020
%X 摘要： 作为一种典型的近藤拓扑绝缘体, 近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比, SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态, 因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态, 所以研究SmB6纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法, 通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB6纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明: 所制备的SmB6纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现: SmB6纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm, 最大电流密度达到了466.16 μA/cm 2, 其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB6拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态, 所以若可以进一步提高其场发射特性, 那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。
%K 六硼化钐
%K 近藤拓扑绝缘体
%K 纳米线
%K 纳米带
%K 场致电子发射
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20190070