%0 Journal Article
%T 正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响
%A null
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
%K 纳米金刚石薄膜
%K 择优取向
%K 显微形貌
%K 电阻率
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00381