%0 Journal Article
%T 微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长
%A 孙丹峰
%A 彭 虎
%A 徐 政
%A 林 枞
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi2O3、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
%K 微波烧结
%K 氧化锌压敏电阻
%K 致密化
%K 晶粒生长动力学
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00917