%0 Journal Article
%T CdSe胶质量子点的电致发光特性研究
%A 吴东锴
%A 吴惠桢
%A 斯剑霄
%A 杜凌霄
%A 胡 炼
%A 蔡春锋
%A 楼腾刚
%J 无机材料学报
%D 2012
%X 摘要： 采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层, 结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射, 表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料. 光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm, 电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ~ 850 nm, 峰值在800 nm附近. 本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
%K CdSe
%K 量子点
%K 电致发光
%K 光致发光
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2012.12027