%0 Journal Article
%T 类金刚石薄膜的慢正电子分析
%A 程宇航
%A 吴一平
%A 邹柳娟+
%A 陈建国
%A 乔学亮
%A 谢长生
%A 翁惠民++
%J 无机材料学报
%D 1998
%X 摘要： 采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明，单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层，界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低，到达薄膜心部后，缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C2H2含量的升高而单调增大，但C2H2含量对界面层宽度没有影响．
%K 类金刚石薄膜
%K 缺陷
%K 慢正电子束
%K 湮灭
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11492.shtml