%0 Journal Article
%T 偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
%A 贺连星
%A 李承恩
%A 陈廷国
%A 刘卫
%A 朱震刚
%A 水嘉鹏
%J 无机材料学报
%D 2000
%X 摘要： 用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、 ９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）处．对引起Ｐ３、Ｐ１、Ｐ２和Ｐ４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ１、 Ｐ２和 Ｐ４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用．
%K 内耗
%K 偏铌酸铅陶瓷
%K 畴壁
%K 氧空位
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11161.shtml