%0 Journal Article
%T 原料对碳化硅单晶生长的影响
%A 陈之战
%A 施尔畏
%A 肖兵
%A 庄击勇
%J 无机材料学报
%D 2003
%X 摘要： 研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C=1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实。
%K 碳化硅原料
%K 碳化硅单晶
%K 相转变
%K Si/C摩尔比
%K 针孔
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract9697.shtml