%0 Journal Article %T Lanxide技术合成AlN材料的反应过程及组织特征 %A 王群 %A 王文忠 %A 高钦+ %A 沈玉辉+ %A 陈建峰+ %J 无机材料学报 %D 1997 %X 摘要: 本文分析了以Lanxide技术合成AlN的生长过程,发现AlN晶体生长具有明显的方向性,XRD分析表明:AlN晶体的生长方向为[0001]晶向.反应过程中AlN由基体表面向气氛中不断深入生长,形成了纤维状或称柱状晶体组织.反应初期Mg元素的挥发非常强烈,Mg蒸气参与表面反应,生成一层疏松的复相表层,有利于反应的深入进行.氮化过程中Si元素存在富集现象,造成宏观组织的成份不均匀性. %K 反应 %K 生长 %K AlN %K 合金 %U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11749.shtml