%0 Journal Article
%T 纳米SiC及Si3N4/SiC的高温等静压研究
%A 董绍明
%A 江东亮
%A 谭寿洪
%A 郭景坤
%J 无机材料学报
%D 1997
%X 摘要： 采用高温等静压（HIP）工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si3N4／SiC复相陶瓷，并通过X射线衍射分析、透射及高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征．实验表明，在温度1850℃、压力200MPa条件下保温lh，可获得晶粒尺寸＜100nm、结构均匀、致密的单相SiC纳米结构陶瓷．对于Si3N4／SiC复相体系，初始粉末的结晶形态对烧结体的结构有很大的影响.将初始粉末进行预处理后：在温度1750℃、压力150MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸在50nm左右、结构致密、均匀的复相Si3N4／SiC纳米陶瓷材料．
%K 纳米陶瓷
%K SiC
%K Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>／SiC
%K 高温等静压（HIP）工艺
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11692.shtml