%0 Journal Article
%T ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
%A 叶志镇
%A 张银珠
%A 徐伟中
%A 吕建国
%J 无机材料学报
%D 2003
%X 摘要： ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.
%K ZnO薄膜
%K p型掺杂
%K 特性
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10131.shtml