%0 Journal Article
%T 以铝为助剂结合放电等离子烧结制备Ti3SiC2
%A 朱教群
%A 梅炳初
%A 陈艳林
%J 无机材料学报
%D 2003
%X 摘要： 以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料,掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材料的快速烧结致密,在升温速率为80℃/min,z轴压力为30MPa时,材料制备的最佳温度为1200～1250℃,所制备材料经XRD、SEM和EDS分析表明不含TiC和SiC等杂质相,Ti3SiC2为5～25μm的板状结晶。
%K 铝
%K Ti<SUB>3</SUB>SiC<SUB>2</SUB>
%K 制备
%K 放电等离子烧结
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10085.shtml