%0 Journal Article
%T 不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究
%A 孙 洵
%A 房昌水
%A 李毅平
%A 王圣来
%A 顾庆天
%A 王 波
%J 无机材料学报
%D 2006
%X 摘要： 过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.
%K DKDP晶体
%K 过饱和度
%K 晶体生长
%K 缺陷
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2006.01047