%0 Journal Article
%T 基于划刻实验的单晶锗材料去除机理研究
%A 李芮
%A 杨晓京
%A 罗良
%A 耿瑞文
%A 谢启明
%J 无机材料学报
%D 2019
%X 摘要： 采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验, 利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测, 根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种, 对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究。使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合, 并利用相关系数检验拟合函数可靠性, 结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性。同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势, 结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右。基于脆塑转变临界载荷, 以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志, 首次结合工件已加工表面弹性回复, 提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型, 其脆塑转变临界深度为489 nm。
%K 单晶锗
%K 纳米划刻实验
%K 表面形貌
%K 材料去除
%K 弹性回复
%K 脆塑转变
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20180500