%0 Journal Article
%T 负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带制备与表征
%A 嵇天浩
%A 张希鹏
%A 雷静果
%A 李丽
%J 无机材料学报
%D 2012
%X 摘要： 采用Cu2O自牺牲模板法, 以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物, 在水热条件下与硫脲进行反应, 制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带. 测试结果表明, 反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu1.8S纯度和形貌皆有影响. 若反应在较低温度(如120℃)进行, 即使反应时间达到25 h, 产物中除了生成Cu1.8S还存在未反应Cu2O; 若水热温度控制在160℃反应25 h, 当硫脲浓度为0.25 mol/L时, 负载物基本上是Cu1.8S且分散较好, 当硫脲浓度升到0.5 mol/L时, 负载物团聚严重. 对罗丹明B的光催化降解活性测试结果表明, 与纯TiO2纳米带相比, 在负载有Cu2O或Cu1.8S后光催化活性显著降低.
%K 复合材料
%K 立方相Cu<sub>1.8</sub>S
%K TiO<sub>2</sub>纳米带
%K 光催化
%K p-n异质结
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2012.00038