%0 Journal Article
%T MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能
%A 徐法强
%A 曹 亮
%A 陈铁锌
%A 韩玉岩
%A 郑志远
%J 无机材料学报
%D 2012
%X 摘要： 在氧等离子体辅助的MBE系统中, 以1 nm厚的Au薄膜为催化剂, 基于气?液?固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到, ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上, 直径为20~30 nm. X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明: ZnO纳米线为六方纤锌矿结构, 具有沿c轴方向的择优取向. 光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰, 475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.
%K ZnO
%K 纳米线
%K 分子束外延
%K VLS
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2012.00301