%0 Journal Article
%T 退火温度对TiO2基电阻开关器件性能的影响
%A 季振国
%A 席俊华
%A 李红霞
%J 无机材料学报
%D 2012
%X 摘要： 采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜, 采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极, 获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件. 研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响. Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性, 置位(set)电压, 复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同, 并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨. 研究结果表明, 500℃退火的器件具有良好的非易失性. 器件高低阻态的阻值比大于103, 其信息保持特性可达10年之久. 在读写次数为100次时, 器件仍具有电阻开关效应.
%K TiO<sub>2</sub>薄膜
%K 电阻开关
%K 退火温度
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2012.11776