%0 Journal Article %T 高压PLD法生长ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒及其荧光性能 %A 曹丙强 %A 王培吉 %A 张 鹏 %J 无机材料学报 %D 2012 %X 摘要: 利用自主设计、组装的高压脉冲激光沉积(PLD)系统, 研究了温度、靶材、催化剂厚度等生长参数对ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒生长的影响, 并对ZnO纳米棒的生长机理和Zn1-xMgxO纳米棒的光致发光性能进行了探讨. 实验发现, 当金膜催化剂厚度为2 nm、温度为925℃时, 在单晶Si衬底上生长了直径均匀的ZnO纳米棒阵列, 且具有明显的(002)择优生长取向. 实验发现温度与催化剂厚度是影响ZnO纳米棒的直径和生长密度的重要因素. 据此提出了ZnO纳米棒阵列的高压PLD生长过程应为气–液–固和气–固相结合的生长机制. 通过在ZnO靶材中掺入氧化镁, 获得了Zn1-xMgxO纳米线和纳米带结构, 但生长无明显的择优取向. 光致发光谱测量表明, 镁掺杂明显增大了ZnO的带隙, 但也在其禁带中引入了缺陷能级, 导致可见发光明显增强. %K 高压PLD %K 氧化锌镁 %K 生长机制 %K 光致发光 %U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2012.12015