%0 Journal Article
%T 硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响
%A 冯玉杰
%A 彭鸿雁， 陈玉强
%A 吕江维
%J 无机材料学报
%D 2009
%X 摘要： 采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜，利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响，通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现：在直流热阴极CVD系统中，低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团（Hα、Hβ、C2、CH）的种类没有改变，但C2基团的浓度升高，而CH基团的浓度下降，薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜，晶体生长良好，取向以（111）晶面为主，质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格，没有破坏金刚石晶体结构.
%K 金刚石
%K 直流热阴极
%K 化学气相沉积
%K 硼掺杂
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2009.00607