%0 Journal Article
%T CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质
%A 刘雨从
%A 张建国
%A 戴宁
%A 殷子薇
%A 沈悦
%A 王林军
%A 王超
%A 邓惠勇
%A 陈嘉栋
%A 谢经辉
%J 无机材料学报
%D 2018
%X 摘要： 为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响, 分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极, 通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱, 研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密, 接触势垒的高度较低, 电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性, 100℃退火后, 化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915, 势垒高度由0.492降低至0.487 eV。交流阻抗谱分析表明, 化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒, 这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。
%K 碲锌镉
%K Au薄膜制备
%K 欧姆接触
%K 交流阻抗谱
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20170186