%0 Journal Article
%T 基于单根TaON纳米带的光晶体管与紫外到近红外响应
%A 吴兴才
%A 陈晋强
%A 陶友荣
%J 无机材料学报
%D 2019
%X 摘要： 用Ta2O5 纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带, 典型的纳米带长约0.5 cm, 横截面积40 nm×200 nm~ 400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管; 该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10 -4cm 2/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm 2)的光照下, 外加5.0 V的偏压时, 光响应为249 mA/W, 光开关比为11。因此, 该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外, 实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带, 并加工成单根纳米带的场效应晶体管, 虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON 纳米带, 但仍算是一种好的光电材料。
%K TaON纳米带
%K 模板合成
%K 场效应晶体管
%K 光探测器
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20180584