%0 Journal Article %T 低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究 %A 李峥 %A 王评初 %A 徐保民 %A 殷之文 %J 无机材料学报 %D 1998 %X 摘要: 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体深能级的等效电路模型,计算机拟合结果与实验数据基本相符. %K 钛酸锶 %K 晶界层电容器 %K 介电性质 %K 体深能级 %U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11386.shtml