%0 Journal Article
%T 低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究
%A 李峥
%A 王评初
%A 徐保民
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 1998
%X 摘要： 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．
%K 钛酸锶
%K 晶界层电容器
%K 介电性质
%K 体深能级
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract11386.shtml