%0 Journal Article
%T Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性
%A 储耀卿
%A 张彦
%A 徐家跃
%A 杨波波
%A 田甜
%A 申慧
%A 汪美玲
%J 无机材料学报
%D 2016
%X 摘要： 采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mol%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体。发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为, 晶体表面析出物完全消失, 顶部呈现光滑结晶面; 低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出, 最高可达纯BSO的145%。晶体热释光谱测试结果表明: 少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强, 但有利于晶体光产额的提高; 高浓度掺杂则容易引起晶格畸变, 甚至产生新的缺陷, 降低晶体的光产额。
%K 硅酸铋
%K 晶体生长
%K Dy<sup>3+</sup>掺杂
%K 热释光
%K 光产额
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20160221