%0 Journal Article
%T InP量子点的掺杂及其光学性能
%A 曾荣光
%A 王怀胜
%A 王晓方
%A 蒋春丽
%A 赖新春
%A 赵雅文
%A 杨锁龙
%J 无机材料学报
%D 2016
%X 摘要： 采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li: InP和Zn: InP), 并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响。研究结果表明, Li+、Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀。虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化, Li+未进入InP晶格, 但是抑制了InP量子点的成核与长大, 使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移。Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大, 并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构, 显著增强了InP量子点的荧光, 尤其是当Zn掺杂浓度(Zn/In原子比)为0.2时, InP量子点的荧光强度增加近100多倍, 这对短波长InP量子点的合成具有一定的参考价值。
%K 磷化铟
%K 量子点
%K 掺杂
%K 光学性能
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20160212