%0 Journal Article
%T PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响
%A 岳冬
%A 杨建锋
%A 白宇
%A 秦毅
%A 罗才军
%A 于方丽
%J 无机材料学报
%D 2013
%X 摘要： 在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜. 通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明: 在60~500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜, 薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低, 并且在相同沉积条件下, 薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外, 薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低, 当基底温度控制在350℃左右时, 可以获得硅碳比为1:1较理想的SiC薄膜。
%K 碳化硅
%K 等离子体增强化学气相沉积
%K 非晶态薄膜
%K 生长速度
%K 基底温度
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2013.12203