%0 Journal Article
%T 高介电栅介质材料研究进展
%A 姚金城
%A 常爱民
%A 张东炎
%A 赵红生
%A 武德起
%J 无机材料学报
%D 2008
%X 摘要： 传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
%K 高介电栅介质
%K 晶化温度
%K 低介电界面层
%K 金属栅电极
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2008.00865