%0 Journal Article %T 高介电栅介质材料研究进展 %A 姚金城 %A 常爱民 %A 张东炎 %A 赵红生 %A 武德起 %J 无机材料学报 %D 2008 %X 摘要: 传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展. %K 高介电栅介质 %K 晶化温度 %K 低介电界面层 %K 金属栅电极 %U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2008.00865