%0 Journal Article
%T 混晶β-(Al, Ga)2O3的禁带调节
%A 周圣明
%A 夏长泰
%A 易学专
%A 赛青林
%A 邵刚勤
%A 肖海林
%J 无机材料学报
%D 2016
%X 摘要： 通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al, Ga)2O3混晶。当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候, 晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析, 结果表明所得β-(Al, Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构, 晶体没有出现其他杂质相, 并且随着Al3+浓度的增加, 晶格常数a、b、c减小, β角增大; 核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位, 两者的比例约为1: 3。通过测试β-(Al, Ga)2O3混晶的透过光谱, 得出β-(Al, Ga)2O3混晶的禁带调节范围为4.72~5.32 eV, 扩大了β-Ga2O3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用。
%K β-Ga2O3
%K Al3+
%K 禁带宽度
%K 半导体
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.15541/jim20160135