%0 Journal Article
%T 锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响
%A 侯育冬
%A 杨祖培
%A 高峰
%A 屈绍波
%A 田长生
%J 无机材料学报
%D 2003
%X 摘要： 研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低。此外,锰掺杂使材料体系“变硬”,ε33T/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低。
%K 锰掺杂
%K PZN-PZT
%K 压电性能
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract10061.shtml