%0 Journal Article
%T 衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响
%A 许仕龙
%A 朱满康
%A 黄安平
%A 王波
%A 严辉
%J 无机材料学报
%D 2004
%X 摘要： 采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
%K Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>
%K 介电薄膜
%K 晶化温度
%K 衬底负偏压
%U http://www.jim.org.cn/CN/abstract/abstract9793.shtml