%0 Journal Article
%T 石墨烯外延生长及其器件应用研究进展
%A 尉国栋
%A 杨为佑
%A 田林海
%A 郑金桔
%A 高凤梅
%A 王 霖
%J 无机材料学报
%D 2011
%X 摘要： 石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础.
%K 石墨烯
%K 外延生长
%K 器件
%K 进展
%K 综述
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2011.01009