%0 Journal Article
%T 飞秒脉冲激光沉积 Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及I-V特性研究
%A 杨光
%A 郑启光
%A 陆培祥
%A 龙华
%A 周幼华
%J 无机材料学报
%D 2006
%X 摘要： 采用飞秒脉冲激光沉积系统, 在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜. X 射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向, 晶粒的平均直径为20nm. 在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向. 测量了薄膜的电滞回线和I-V特性曲线, 并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的I-V特性曲线和铁电性的关联性. a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2, 矫顽力Ec=48kV/cm.
%K 飞秒
%K 脉冲激光沉积法(PLD)
%K 钛酸铋
%K 铁电薄膜
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2006.01230