%0 Journal Article
%T 衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
%A 刘忠良
%A 徐彭寿
%A 武煜宇
%A 汤洪高
%A 刘金锋
%J 无机材料学报
%D 2007
%X 摘要： 利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜, 通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响. 研究结果表明, 1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性. 在更高的衬底温度下生长, 会导致大的孔洞形成, 衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错, 从而使晶体质量变差. 在低衬底温度下生长, 由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
%K 碳化硅薄膜
%K 硅衬底
%K 固源分子束外延
%K 衬底温度
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2007.00720