%0 Journal Article
%T 原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能
%A 曾宇平
%A 江东亮
%A 夏咏锋
%J 无机材料学报
%D 2008
%X 摘要： 以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2(方石英)组成. 所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～48.86%, 抗弯强度为34.77～127.85MPa, 介电常数为3.0～4.6, 介电损耗约为0.002.
%K Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>多孔陶瓷
%K 介电性能
%K 反应结合
%K 气孔率
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2008.00705