%0 Journal Article
%T ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构表征与发光特性
%A 孔向阳
%A 周茹莉
%J 无机材料学报
%D 2011
%X 摘要： ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体, 是优异的功能材料. 以ZnO、SnO2为原料, 通过共热蒸发法, 合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构. 该纳米电缆结构为以ZnO为芯, Zn2SnO4 为鞘, 直径为50~100nm, 长度可达上百微米. 通过TEM分析手段, 发现该纳米电缆结构中, ZnO的生长方向为<0001>方向, ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系. 室温下光致发光谱结果显示, 该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光, 而在可见光区域没有明显的发光带, 这一结果表明: Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光. ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子?空穴的复合, 在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.
%K ZnO/Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>
%K 纳米电缆
%K 合成
%K 发光特性
%U http://www.jim.org.cn/CN/10.3724/SP.J.1077.2011.00597